Aluminum Nitride Crucible ALN Aluminum Crucible
Fampisehoana vokatra
AlN dia atambatra amin'ny fampihenana ny hafanana amin'ny alumina na amin'ny alàlan'ny nitride mivantana amin'ny alumina.Izy io dia manana hakitroky ny 3.26 Registered & Protected by MarkMonitor-3, na dia tsy levona aza, dia mipoitra mihoatra ny 2500 ° C amin'ny atmosfera.Ny akora dia covalently mifamatotra ary manohitra sintering tsy misy ny fanampian'ny ranoka-miforona additive.Amin'ny ankapobeny, ny oxides toy ny Y 2 O 3 na CaO dia mamela ny fanatontosana sintering amin'ny mari-pana eo anelanelan'ny 1600 sy 1900 ° C.
Ny aluminium nitride dia fitaovana vita amin'ny seramika miaraka amin'ny fampisehoana feno tsara, ary ny fikarohana nataony dia azo trandrahana hatramin'ny zato taona mahery lasa izay.Izy io dia ahitana an'i F. Birgeler sy A. Geuhter Hita tamin'ny 1862, ary tamin'ny 1877 dia noforonina voalohany ny JW MalletS Aluminum nitride, saingy tsy nampiasaina nandritra ny 100 taona mahery izy io, rehefa nampiasaina ho zezika simika. .
Satria ny aluminium nitride dia covalent compound, miaraka amin'ny coefficient self-diffusion kely ary teboka levona avo, sarotra ny sintering.Tany amin'ny taona 1950 vao nahomby ny seramika nitride aluminium ary nampiasaina ho fitaovana fandoroana vy madio, aliminioma ary aliminioma.Hatramin'ny taona 1970, miaraka amin'ny halalin'ny fikarohana, ny fizotry ny fanomanana ny aluminium nitride dia nanjary matotra, ary nitombo ny fampiharana azy.Indrindra fa hatramin'ny nidirana tamin'ny taonjato faha-21, miaraka amin'ny fivoarana haingana ny teknolojia microelectronics, milina elektronika sy singa elektronika mankany amin'ny miniaturization, maivana, fampidirana, ary azo itokisana ambony sy fitarihana herinaratra avo lenta, fitaovana be pitsiny kokoa amin'ny substrate sy fitaovana fonosana amin'ny fanaparitahana hafanana. mandroso fepetra avo kokoa, mampiroborobo bebe kokoa ny fampandrosoana matanjaka ny aluminium nitride orinasa.
Endri-javatra lehibe
AlN Manohitra ny faharavan'ny ankamaroan'ny metaly voarendrika, indrindra ny alimo, litium ary varahina
Izy io dia mahatohitra ny ankamaroan'ny fanimbana ny sira voarendrika, anisan'izany ny klôro sy ny cryolite
Conductivity mafana avo amin'ny fitaovana seramika (aorian'ny beryllium oxide)
High volume resistivity
Hery dielectric avo
Simban'ny asidra sy alkali izy io
Amin'ny endrika vovoka dia mora hydrolyzed amin'ny rano na hamandoana hamandoana
Fampiharana lehibe
1, ny fampiharana fitaovana piezoelectric
Aluminum nitride dia manana resistivity avo, conductivity mafana mafana (8-10 heny amin'ny Al2O3), ary ambany ny fanitarana coefficient mitovy amin'ny silisiôma, izay fitaovana tsara indrindra ho an'ny mari-pana ambony sy ny hery ambony fitaovana elektronika.
2, ny fitaovana elektronika fonosana substrate
Ny fitaovana ampiasaina amin'ny substrate seramika matetika dia oksizenina beryllium, alumina, aluminium nitride, sns., izay ny substrate seramika alumina dia manana conductivity mafana ambany, tsy mifanaraka amin'ny silisiôma ny fanitarana mafana;Na dia manana toetra tsara aza ny oxide beryllium, ny vovony dia tena misy poizina.
Anisan'ireo fitaovana vita amin'ny seramika azo ampiasaina ho fitaovana substrate, ny seramika silisiôma nitride dia manana hery miondrika avo indrindra, fanoherana tsara amin'ny akanjo, dia ny fitaovana seramika miaraka amin'ny fampisehoana mekanika feno tsara indrindra, ary ny fatran'ny fanitarana mafana indrindra.Ny seramika aluminium nitride dia manana conductivity mafana avo lenta, fanoherana ny fiantraikan'ny hafanana mafana, ary mbola manana toetra mekanika tsara amin'ny hafanana avo.Amin'ny lafiny fampisehoana, ny aluminium nitride sy ny silisiôma nitride amin'izao fotoana izao no fitaovana mety indrindra ho an'ny substrate fonosana elektronika, saingy manana olana mahazatra ihany koa izy ireo fa ny vidiny dia avo loatra.
3, ary ampiharina amin'ny fitaovana luminescent
Ny sakany ambony indrindra amin'ny elanelana mivantana amin'ny aluminium nitride (AlN) dia 6.2 eV, izay manana fahaiza-manao fiovam-po mahery vaika kokoa raha oharina amin'ny semiconductor bandgap indirect.AlN Amin'ny maha-zava-dehibe ny jiro manga sy ny jiro UV, dia ampiharina amin'ny UV / deep UV diode, UV laser diode ary UV detector.Ankoatra izany, ny AlN dia afaka mamorona vahaolana mafy orina miaraka amin'ny vondrona III nitrides toy ny GaN sy InN, ary ny ternary na quaternary alloy dia afaka manitsy tsy tapaka ny elanelana misy azy avy amin'ny taratra ultraviolet hita maso mankany amin'ny lalina, ka mahatonga azy io ho fitaovana manan-danja lehibe amin'ny luminescent.
4, izay ampiharina amin'ny fitaovana substrate
Ny kristaly AlN dia substrate tsara indrindra ho an'ny GaN, AlGaN ary koa ny fitaovana epitaxial AlN.Raha ampitahaina amin'ny safira na SiC substrate, AlN dia manana hafanana mafana kokoa amin'ny GaN, manana fifanarahana simika avo kokoa, ary kely kokoa ny adin-tsaina eo amin'ny substrate sy ny sosona epitaxial.Noho izany, rehefa AlN kristaly ampiasaina ho toy ny GaN epitaxial substrate, dia afaka mampihena be ny kilema hakitroky ny fitaovana, manatsara ny fahombiazan'ny ny fitaovana, ary manana ny fampiharana tsara fanantenana amin'ny fanomanana ny mari-pana ambony, avo matetika sy ny hery elektronika avo. fitaovana.
Ankoatr'izay, ny substrate fitaovana epitaxial AlGaN miaraka amin'ny kristaly AlN ho singa aluminium avo (Al) dia afaka mampihena tsara ny hakitroky ny kilema ao amin'ny sosona epitaxial nitride, ary manatsara ny fahombiazan'ny asa sy ny fiainan'ny fitaovana semiconductor nitride.Nampiharina soa aman-tsara ireo mpitsikilo jamba isan'andro miorina amin'ny AlGaN.
5, ampiasaina amin'ny seramika sy fitaovana refractory
Aluminum nitride azo ampiharina amin'ny sintering ny ara-drafitra seramika, nanomana aluminium nitride seramika, tsy vitan'ny hoe tsara mekanika fananana, aforeto hery dia ambony noho ny Al2O3 sy BeO seramika, avo hamafin'ny, fa koa ny hafanana sy ny harafesiny fanoherana.Amin'ny fampiasana AlN seramika hafanana fanoherana sy ny harafesiny fanoherana, dia azo ampiasaina amin'ny hafanana hafanana harafesiny faritra mahatohitra toy ny crucible sy Al evaporation lovia.Ankoatr'izay, ny seramika AlN madio dia kristaly mangarahara tsy misy loko, manana toetra optika tsara, ary azo ampiasaina amin'ny varavarankely infraroda amin'ny hafanana avo sy ny coating mahatohitra hafanana ho an'ny seramika mangarahara manamboatra fitaovana elektronika optika.
6. Composites
Epoxy resin / AlN composite akora, ho toy ny fitaovana fonosana, dia mitaky conductivity mafana tsara sy ny fahaiza-manala hafanana, ary io fepetra io dia miha henjana.Amin'ny maha-fitaovana polymère manana fananana simika tsara sy fahamarinan-toerana mekanika, ny resin epoxy dia mora sitrana, miaraka amin'ny tahan'ny fihenam-bidy ambany, fa ny conductivity mafana dia tsy avo.Amin'ny fampidirana ny nanopartikely AlN miaraka amin'ny conductivity mafana tsara amin'ny resin'ny epoxy, dia azo hatsaraina tsara ny conductivity sy ny tanjaky ny thermal.
